近日，英特尔传出新动态，已向 ASML 追加订单，将高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）设备的采购量从 1 台提升至 2 台。这一动作清晰表明，公司正将资本支出的核心聚焦于 14A 节点，全力推进先进制程研发与布局。
随着芯片制程持续向 2 纳米以下迈进，传统 EUV（极紫外光刻）设备正逐渐逼近物理极限，而 High-NA EUV 技术成为突破这一瓶颈的关键工具。这类设备堪称各大晶圆厂的 “战略物资”：一方面，其技术壁垒极高，在先进制程生产中具有不可替代的地位；另一方面，其成本也极为惊人，单台售价高达 3.7 亿美元。如此高昂的投入，使得仅有具备雄厚资金实力与稳定客户订单的企业能够承担，例如三星、台积电与 SK 海力士。
英特尔此次敢于加大对 High-NA EUV 设备的投资，背后离不开近期获得的外部资金支持。其中，英伟达注资 50 亿美元，软银也投入 20 亿美元。这笔资金不仅显著增强了英特尔的现金流，也提升了其资本支出能力，为公司在先进制程竞争的关键节点上 “豪掷重金” 提供了难得的 “喘息空间”，助力其争夺高端制程的话语权。
目前，英特尔的战略目标已十分明确：将重心集中在 14A 制程上，借助 High-NA EUV 技术缩小与台积电、三星的差距，甚至实现反超。但与此同时，这一战略也伴随着巨大风险。英特尔高层已公开表示，若 14A 制程无法成功吸引客户采用，公司将不得不退出高端节点的竞争 —— 这意味着英特尔晶圆代工业务（IFS）的未来将岌岌可危。可以说，英特尔已将 “成败” 完全押注在 14A 制程上，这场布局堪称毫无退路的 “豪赌”。
需要注意的是，即便英特尔增加了 High-NA EUV 设备采购量，设备本身也未必能直接转化为制程突破，后续仍存在诸多变数。High-NA EUV 技术只是先进制程生产中的关键一环，最终能否实现稳定量产与商业成功，还取决于良率控制、设计工具适配、产业链协同等多个维度的表现。对英特尔而言，未来几年将是决定其在半导体行业地位的关键窗口期，市场也将持续关注并检验这场高风险投入能否为其带来真正的 “翻身” 机会。
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